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電光所 3D IC 核心技術大突破

電光所領先國際,完成小於 20um 專利架構的 micro bump,適用於 CIS 模組,達成 10 顆晶片堆疊 (TSV<10mW),遠優於 NEC 及 IBM 2007 發表的成果 (>20mW),低成本雷射鑽孔技術,完成 TSV (>50um) 技術,符合未來 chip-on-chip堆疊之微細間距,可大幅提升晶片價格效能比,協助廠商掌握產品技術領先契機。



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